本项目针对高阻抗变化率非晶丝材料及其磁性能优化、GMI-MEMS制造工艺以及 SoC 集成方面进行了深入研发。开发出了高阻抗变化率的非晶丝材料，并具备批量制备能力；利用该高性能非晶丝材料，配合精密线圈绕组及装配工艺，结合低噪声模拟电路设计，开发了pT级极高灵敏度弱磁传感器模组，并在国防、智能电网、航空航天、智慧交通、高端医疗等领域进行了应用示范；基于典型的非硅MEMS工艺，通过电镀、磁控溅射，结合LIGA深刻蚀技术以及GMI非晶丝高精度装配，研发了国内首个GMI-MEMS弱磁芯片；依托松山湖材料实验室完备的材料分析、表征和半导体加工条件，采用SIP封装技术，完成了GMI-MEMS和ASIC信号处理电路的SoC片上集成。
团队经过多年的技术积累，已形成面向不同应用场景需求的霍尔、磁阻、巨磁阻抗三代磁敏材料及芯片设计、制造工艺体系，具备智能磁传感芯片批产能力，并推进磁敏芯片在汽车电子、电网、智能制造领域的产业化应用。
