以SiC为代表的第三代半导体材料，具有比硅（Si）高约十倍的击穿电场、快约一倍的饱和电子漂移速度、大约三倍的禁带宽度和高的热导率等优异特性，使其成为新一代高效、大功率电力电子器件的理想材料和必然选择。团队专注于碳化硅外延工艺及相关技术的研发和生产，重点为高良率低成本的碳化硅（SiC）快速外延生长技术，致力于解决高质量外延片量产过程中的均匀性和工艺稳定性等关键问题，实现高质量的外延片量产，可为我国SiC半导体产业的快速良性发展提供有力的支撑，避免在核心材料上形成新的“卡脖子”问题。
碳化硅外延片用于电力电子器件的生产制造，其应用包括新能源汽车及充电桩，光伏电站，机电控制，轨道交通和电网等领域，为国家重点发展的半导体产业。本项目研发成功将为大功率电力电子器件（如电动汽车用大功率逆变器模块）制备提供高质量的 SiC 外延片，将极大促进国内电动汽车公司在大功率逆变器的自我供给能力，提升我国相关行业在国际领域的竞争力和话语权。并将有力地支撑我国在其他新型高效、高压、大容量电力电子器件方面的研究，促进我国经济发展与能源结构转型。
