摘要：本发明公开了一种SiC同质外延层的剥离方法，其包括如下步骤：(1)制造缺陷层；(2)退火修复表面；(3)获得SiC外延层；(4)剥离。本发明通过离子注入的方法在SiC衬底表面附近制造缺陷层，同质外延生长后进行激光剥离，最终实现外延层和衬底的分离，整体过程步骤简洁，易于实现；而且对离子注入后的SiC衬底进行快速退火，这样使得缺陷层在后续的SiC外延生长的高温下也相对稳定；同时利用缺陷层对激光的强烈吸收，既可以增强激光的烧蚀效率，同时还减少了激光对SiC外延层的损伤；另外被剥离下来的SiC剩余衬底通过抛光后可以再次用来生长SiC外延层，有效提高了SiC衬底的利用率，降低了外延的生产成本。