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SiC及相关材料团队

SiC&Related Materials Group

降低外延片翘曲度的方法及其外延片

发布日期:2023年11月16日
作者:SiC及相关材料团队

摘要:本发明公开了一种降低外延片翘曲度的方法及其外延片,本发明提供的降低外延片翘曲度的方法合理,将液相等离子电解技术与半导体外延技术相结合,巧妙利用液相等离子电解渗透技术在半导体衬底材料的非外延生长面上进行掺杂,形成应力补偿层,通过该应力补偿层所产生的应力能部分或全部抵消后续外延生长面上的外延层所产生的应力,相互之间达到一个较佳的应力平衡状态,从而获得低翘曲度的外延片,提升外延片的晶体质量,得到较平整的外延片,整个工艺流程操作简易,成本低,易于实现,且效率高。本发明提供的外延片结构设计合理,整体平整度高,给后续的半导体制程带来方便,有效提升半导体器件的良品率,确保产品质量。