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SiC及相关材料团队

SiC&Related Materials Group

用于生长大尺寸外延片的石墨盘及其使用方法

发布日期:2023年11月16日
作者:SiC及相关材料团队

摘要:本发明公开了一种用于生长大尺寸外延片的石墨盘及其使用方法,石墨盘包括石墨盘基座,石墨盘基座的中心区域设有放置区,该放置区的边缘位置设有若干周期性斜面凹槽和若干周期性凸起,该周期性凸起和周期性斜面凹槽沿所述放置区的外形轮廓线排列。本发明通过在放置区的边缘位置设有周期性斜面凹槽和周期性凸起,可显著减少晶圆边缘与石墨盘的粘接,大大提高尤其是厚膜外延片生长完后取片的便捷性,降低晶圆边缘的损伤;同时周期性斜面凹槽结构不仅可以增加边缘气流的流动性,减少甚至消除气体湍流,让晶圆的径向温场更均匀,提高了外延片径向均匀性,提升产品质量,另外整体结构简单,成本低,操作使用简易,易于实现,利于广泛推广应用。