摘要：本发明公开了一种提高SiC晶圆平整度的方法，本发明通过先测量SiC晶圆的平整度数据，包括TTV值、Bow值和Warp值，通过分析计算获得具有最佳平整度的SiC晶圆而需去除的多余SiC材料对应的最佳切割面，采用激光切割的方法，将SiC晶圆表面不平整区域完全去除，再通过研磨抛光工艺将SiC晶圆的表面平整度和表面粗糙度加工到预定值；本发明提高SiC晶圆平整度的方法操作简单，易于实现，通过激光切割可以大部分消除SiC晶圆的不平整度，从而大大提高了后续研磨工序的效率，并且将研磨工序中出现SiC晶圆破裂的风险降到最低，提高了良率，保证产品质量，且加工效率高。