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SiC及相关材料团队

SiC&Related Materials Group

去除晶圆表面汞残留处理装置

发布日期:2023年11月16日
作者:SiC及相关材料团队

摘要:本实用新型公开了一种去除晶圆表面汞残留处理装置,其包括加热腔体、进气通道、排气通道、汞蒸气反应过滤系统、抽气泵和加热装置;通过加热装置对加热腔体进行加热,位于加热腔体内的晶圆受热使其表面的汞液滴蒸发成为汞蒸气,通过进气通道的吹气加快汞与半导体晶圆的分离,汞蒸气经排气通道进入汞蒸气反应过滤系统进行吸附处理,能简单高效地清除晶圆表面的残留汞,获得洁净的晶圆表面,同时不产生汞废液,经反应过滤后的废气可以直接排出室外而不造成空气污染,对环境友好,另外汞蒸气反应过滤系统可多次循环利用,大大缩减工业级量产外延片测试过程中的成本,利于广泛推广应用。