SiC及相关材料团队专注于碳化硅外延工艺及相关技术的研发和生产，重点为高良率低成本的碳化硅（SiC）快速外延生长技术，致力于解决高质量外延片量产过程中的均匀性和工艺稳定性等关键问题，实现高质量的外延片量产，可为我国SiC半导体产业的快速良性发展提供有力的支撑，避免在核心材料上形成新的“卡脖子”问题。
产品用于电力电子器件的生产制造，其应用包括新能源汽车及充电桩，光伏电站，机电控制，轨道交通和电网等领域，为国家重点发展的半导体产业。
1991年博士毕业于中国科学院物理研究所，德国海德堡（Heidelberg）大学和拜罗伊特（Bayreuth）大学洪堡学者。历任中国晶体学会副理事长（2004-2012），中国物理学会X射线衍射专业委员会主任（2013-至今），国际衍射数据中心（ICDD）副主席（2016-2020）；长期从事新功能材料探索、新物性和宽禁带半导体晶体生长的研究和产业化工作，率领团队成功研发出2 – 6英寸碳化硅晶体，带动了国内宽禁带半导体新兴产业的发展。
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